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用ARE法制备立方氮化硼薄膜提高薄膜粘接强度的方法研究

发布时间:2019-10-23 10:51
用ARE法制备立方氮化硼薄膜提高薄膜粘接强度的方法研究
田景泽夏立芳Eung-Sun Byeongson-HunLeeSang-RoLee
概述合成c?BN薄膜是在反应离子活性涂层装置中在氮气和氩气的混合气体中通过纯铜电子束蒸发合成的。
c-在沉积BN膜之后,在高纯度氮负载条件下原位进行消除应力退火工艺以改善膜和基板之间的粘合强度。
通过傅里叶变换的红外透射光谱分析c?BN膜的结构,通过弯曲法测量膜的残余压应力,并测量膜与基板的粘附性。通过划痕测试。
沉积的c?BN薄膜的残余压应力高达6.6 GPa。如果退火温度不超过600℃,则降低膜的残余压缩应力的效果不显着,但是在800℃下退火1小时后,残留的c-BN膜压缩显着降低至约2GPa,并且薄膜和基材之间的粘合强度显着提高。在划痕试验中,薄膜的临界载荷高达14N。傅立叶变换的红外分析表明,高温退火不会改变c-BN薄膜。
作者单位:
哈尔滨工业大学哈尔滨工业大学哈尔滨工业大学哈尔滨工业大学
哈尔滨150001 Marterialand Michinery共和国的设施!
韩国的Marterialand Michinery!
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韩国编号类别编号:TN304
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